Hynix anuncia 1 GB DDR3 en 40 nm

 Últimamente están presentándose más y más avances en memoria por parte de los fabricantes de chips DRAM ahora que tanto AMD como Intel disponen de plataformas para memoria DDR3. Con esas mejoras, la memoria DDR3 avanza en rendimiento y se reduce su consumo de energía.

Así, el fabricante de semiconductores Hynix ha presentado el desarrollo de sus chips DRAM DDR3 de 1 Gb (1 gigabit) con tecnología de 40 nm y que están diseñados para cumplir con las especificaciones DDR3 de Intel, el cual las examinará para determinarlo.

Estos chips DDR3 serán capaces de mantener una tasa máxima de 2.133 Mb/s, con un margen de voltajes de funcionamiento mayor. Los chips producidos con esta tecnología se fabricarían masivamente a partir del tercer trimestre de 2009. E Hynix pretende además adoptar esta tecnología de 40 nm para otros fines, como chips de memoria no volátiles de almacenamiento masivo (Para SSD), módulos de memoria para portátiles y chips de memoria para tarjetas gráficas, donde deberían mejorar el rendimiento y reducir algo el consumo.

Hynix confía en que su tecnología de 40 nm lidere el mercado de las memorias DDR3 para el segundo trimestre de este año 2009, en el cual aumentará la cantidad de sistemas que usen memoria DDR3. Por último, Hynix declara que los 40 nm le permiten aumentar la productividad de los procesos de fabricación más de un 50%, en relación al actual de 50 nm.

Fuente: N3D